แหล่งกำเนิดไอออนประสิทธิภาพสูงทังสเตนและโมลิบดีนัมส่วนประกอบที่กำหนดเอง

แหล่งกำเนิดไอออนประสิทธิภาพสูงทังสเตนและโมลิบดีนัมส่วนประกอบที่กำหนดเอง

ชิ้นส่วนกลึงทังสเตนและโมลิบดีนัมข้อมูลจำเพาะ:

แอปพลิเคชัน:

การฝังไอออนของสารกึ่งตัวนำเป็นเทคโนโลยีใหม่ของการปรับเปลี่ยนพื้นผิววัสดุมีการใช้กันอย่างแพร่หลายในการเติมสารกึ่งตัวนำ การปรับเปลี่ยนพื้นผิวของโลหะ เซรามิก โพลีเมอร์ เป็นต้น ซึ่งเป็นเทคนิคที่จำเป็นในการผลิตวงจรรวมขนาดใหญ่ในปัจจุบัน

คุณสมบัติของวัสดุ:

ส่วนประกอบทังสเตนและโมลิบดีนัม Sanhui ที่ใช้ในการฝังไอออนมีความบริสุทธิ์สูง คุณสมบัติทางกลที่ดีเพื่อให้แน่ใจว่าเหมาะสำหรับการประมวลผลส่วนประกอบห้องอาร์คที่มีรูปร่างซับซ้อน

ห้องอาร์คทังสเตนและโมลิบดีนัมความบริสุทธิ์สูงเป็นการรับประกันขั้นพื้นฐานสำหรับผลผลิตชิปเซมิคอนดักเตอร์

กรณีความสำเร็จ:

Sanhui มีอุปกรณ์ครบครันสำหรับการแปรรูปวัสดุทนไฟ และสามารถให้บริการลูกค้าด้วยแผ่น แผ่น แท่ง แท่ง และส่วนประกอบที่ซับซ้อนที่ทำจากวัสดุโลหะทนไฟ เช่น ทังสเตน โมลิบดีนัม แทนทาลัม ไนโอเบียม และโลหะผสมของพวกมัน

ซานฮุยสามารถจัดหาผลิตภัณฑ์ทังสเตนและโมลิบดีนัมที่ใช้ในแหล่งกำเนิดไอออนที่มีลำแสงขนาดใหญ่ ลำแสงขนาดกลาง และพลังงานสูงสามารถจัดหาส่วนประกอบแหล่งกำเนิดไอออนพลังงานสูงทังสเตน ชิ้นส่วนฝังไอออนลำแสงขนาดใหญ่ทังสเตนหรือโมลิบดีนัม และส่วนประกอบแหล่งกำเนิดไอออนลำแสงขนาดกลางของโมลิบดีนัม

ผลิตภัณฑ์ได้ถูกจัดจำหน่ายให้กับผู้ผลิตชั้นนำในไต้หวัน สหรัฐอเมริกา และประเทศและภูมิภาคอื่นๆ